This page will soon be deactivated—explore our new, faster, mobile-friendly site, now centralized in MyWorkspace!

Committed to connecting the world

  •  
ITU GSR 2024

ITU-T Recommendations

Search by number:
Others:
Skip Navigation Links
Content search
Advanced search
Provisional name
Equivalent number
Formal description
Study Groups tree viewExpand Study Groups tree view

ITU-T K.81 (08/2024)

عربي | 中文 | English | Español | Français | Русский
دليل الحصانة الكهرمغنطيسية عالية الطاقة لأنظمة الاتصالات
في أي نظام لإدارة أمن المعلومات (ISMS) طبقاً للتوصية ITU-T X.1051 والمعيارين ISO/IEC 27001 و27002، يعتبر الأمن المادي من القضايا الرئيسية. تحدد التدابير الأمنية المادية المطبقة إلى حد كبير التداخل الكهرومغناطيسي الناجم عن هجوم كهرمغنطيسي عالي القدرة (HPEM) وقدرة اعتراض المعلومات نتيجة للإرسالات الكهرمغنطيسية غير المقصودة للمعدات.عند إدارة أمن المعلومات، من الضروري تقييم وتخفيف التهديد الذي تتعرض له المعدات أو الموقع. ويرتبط هذا التهديد بكل من "مواطن الضعف" و"الكتمان" في نظام إدارة أمن المعلومات (ISMS).تقدم التوصية ITU-T K.81 إرشادات بشأن تحديد مستوى التهديد الذي يمثله هجوم HPEM المتعمد والتدابير الأمنية المادية التي يمكن استخدامها لتقليل هذا التهديد إلى أدنى حد. وتقدم الإضافة 5 للتوصية ITU-T K نتائج حساب تهديدات HPEM المتعمدة. ومصادر HPEM قيد البحث هي المصادر المعروضة في المعيار IEC 61000-2-13، فضلاً عن بعض المصادر الإضافية التي ظهرت مؤخراً.تقدم التوصية ITU-T K.81 أيضاً معلومات عن نقاط ضعف المعدات. ويرد مثال الضعف في الإضافة 5 للتوصية ITU-T K. ويفترض أن تفي المعدات بمتطلبات الحصانة الواردة في التوصية ITUT K.48 ومتطلبات المقاومة ذات الصلة، مثل تلك الموصوفة في التوصيات ITU-T K.20 وITU-T K.21 وITU-T K.45.وحذفت نسخة 2016 من هذه التوصية التذييلات I وII وIII. وأعيد نشر التذييل I بوصفه الإضافة 5 لتوصيات السلسلة K، ونقلت الأجزاء ذات الصلة من التذييل II إلى التوصية ITU-T K.115.
Citation: https://handle.itu.int/11.1002/1000/16005
Series title: K series: Protection against interference
Approval date: 2024-08-13
Provisional name:K.hpem
Approval process:AAP
Status: In force
Maintenance responsibility: ITU-T Study Group 5
Further details: Patent statement(s)
Development history