Committed to connecting the world

  •  
wtisd

ITU-T Recommendations

Search by number:
Others:
Skip Navigation Links
Content search
Advanced search
Provisional name
Equivalent number
Formal description
Study Groups tree viewExpand Study Groups tree view

ITU-T L.201/L.13 (04/2003)

عربي | 中文 | English | Español | Français | Русский
Требования к эксплуатационным характеристикам пассивных оптических узлов: герметичные муфты для условий наружного размещения
В данной Рекомендации рассматриваются аспекты использования пассивных оптических узлов в условиях окружающей среды. Рассматриваются конструкции корпуса муфты и организатора волокон с точки зрения механических характеристик, характеристик окружающей среды и особенностей самого организатора волокон.В этой редакции документа добавлены следующие разделы:- испытательная установка для оценки рабочих характеристик герметичных оптических муфт в 2 базовых условиях размещения - подземного (OS) или наземного (OA);- имитация эффекта вмешательства персонала для проведения работ по обслуживанию сети.Включены также следующие Добавления:- перечень систематических характеристик изделия в соответствии с Рекомендацией МСЭ-Т L.51;- список дополнительных требований, отражающий особые условия размещения (например, тоннели) или местные особенности.
Citation: https://handle.itu.int/11.1002/1000/6135
Series title: L series: Environment and ICTs, climate change, e-waste, energy efficiency; construction, installation and protection of cables and other elements of outside plant
L series: Environment and ICTs, climate change, e-waste, energy efficiency; construction, installation and protection of cables and other elements of outside plant
  L.200-L.299: Optical infrastructures
  L.200-L.249: Infrastructure including node elements (except cables)
Approval date: 2003-04-11
Approval process:AAP
Status: Superseded
Observation:Former ITU-T L.13 renumbered as ITU-T L.201 on 2016-02-15 without further modification and without being republished.
Maintenance responsibility: ITU-T Study Group 15
Further details: Patent statement(s)
Development history